Name: DMT6016LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT6016LSS-13DITR-ND
Price: 0.9282 EUR
Availability: InStock

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DMT6016LSS-13
DigiKey-Teilenr.	DMT6016LSS-13DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMT6016LSS-13DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMT6016LSS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT6016LSS-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 9,2 A (Ta) 1,5W (Ta) Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMT6016LSS-13 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9,2 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	18mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	864 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,5W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SO
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis-Produktnummer	DMT6016