Name: DMT6012LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT6012LSS-13TR-ND
Price: 0.833 EUR
Availability: InStock

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DMT6012LSS-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMT6012LSS-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMT6012LSS-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMT6012LSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT6012LSS-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 10,4 A (Ta) 1,2W (Ta) Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 22.2 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1522 pF @ 30 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 1,2W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10,4 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11mOhm bei 10A, 10V	Basis-Produktnummer DMT6012

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