Name: DMT6012LFDFQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT6012LFDFQ-7TR-ND
Price: 0.20023 EUR
Availability: OutOfStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMT6012LFDFQ-7
DigiKey-Teilenr.	31-DMT6012LFDFQ-7TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT6012LFDFQ-7
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 9,5 A (Ta) 900mW (Ta) Oberflächenmontage U-DFN2020-6 (Typ F)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9,5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	14mOhm bei 8,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	13.6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	785 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	900mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	U-DFN2020-6 (Typ F)
Gehäuse / Hülle	6-UDFN mit freiliegendem Pad