Name: DMT35M4LFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT35M4LFDF-7TR-ND
Price: 0.833 EUR
Availability: InStock

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DMT35M4LFDF-7
DigiKey-Teilenr.	31-DMT35M4LFDF-7TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMT35M4LFDF-7CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMT35M4LFDF-7DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT35M4LFDF-7
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 13 A (Tc) 860mW (Ta) Oberflächenmontage U-DFN2020-6 (Typ F)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 14.9 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1009 pF @ 15 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 860mW (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 13 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten U-DFN2020-6 (Typ F)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 6-UDFN mit freiliegendem Pad
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6mOhm bei 20A, 10V	Basis-Produktnummer DMT35M4LF

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