Name: DMT10H015LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H015LFG-7DITR-ND
Price: 2.1182 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMT10H015LFG-7
DigiKey-Teilenr.	DMT10H015LFG-7DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMT10H015LFG-7DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMT10H015LFG-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT10H015LFG-7
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 10 A (Ta), 42 A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Oberflächenmontage POWERDI3333-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 33.3 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1871 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 35W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10 A (Ta), 42 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten POWERDI3333-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 13,5mOhm bei 20A, 10V	Basis-Produktnummer DMT10