Name: DMP56D0UFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP56D0UFB-7BDITR-ND
Price: 0.5236 EUR
Availability: InStock

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DMP56D0UFB-7B
DigiKey-Teilenr.	DMP56D0UFB-7BDITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMP56D0UFB-7BDICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMP56D0UFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMP56D0UFB-7B
Beschreibung	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 50 V 200mA (Ta) 425mW (Ta) Oberflächenmontage X1-DFN1006-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	50 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	200mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6Ohm bei 100mA, 4V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	0.58 nC @ 4 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	50.54 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	425mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	X1-DFN1006-3
Gehäuse / Hülle	3-UFDFN
Basis-Produktnummer	DMP56

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