Name: DMP1009UFDFQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP1009UFDFQ-7TR-ND
Price: 0.9401 EUR
Availability: OutOfStock

DMP1009UFDFQ-7 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

Diodes Incorporated

Vorrätig: 0

Stückpreis : 0,16169 €

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMP1009UFDFQ-7
DigiKey-Teilenr.	31-DMP1009UFDFQ-7TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMP1009UFDFQ-7CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMP1009UFDFQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMP1009UFDFQ-7
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 12 V 11 A (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage U-DFN2020-6 (Typ F)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11mOhm bei 5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	44 nC @ 8 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1860 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	U-DFN2020-6 (Typ F)
Gehäuse / Hülle	6-UDFN mit freiliegendem Pad
Basis-Produktnummer	DMP1009