Name: DMN65D8LFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN65D8LFB-7BDITR-ND
Price: 0.2618 EUR
Availability: InStock

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DMN65D8LFB-7B
cms-digikey-product-number	DMN65D8LFB-7BDITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMN65D8LFB-7BDICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMN65D8LFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Diodes Incorporated
cms-manufacturer-product-number	DMN65D8LFB-7B
cms-description	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
cms-standard-lead-time	24 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-Kanal 60 V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Oberflächenmontage X1-DFN1006-3
Datenblatt	Datenblatt
cms-eda-cad-models	DMN65D8LFB-7B Modelle

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	260mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3Ohm bei 115mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	25 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	430mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	X1-DFN1006-3
Gehäuse / Hülle	3-UFDFN
Basis-Produktnummer	DMN65

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Auf Lager: 317.658

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Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)