Name: DMN31D4UFZ-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN31D4UFZ-7BTR-ND
Price: 0.2142 EUR
Availability: InStock

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DMN31D4UFZ-7B
DigiKey-Teilenr.	31-DMN31D4UFZ-7BTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMN31D4UFZ-7BCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMN31D4UFZ-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN31D4UFZ-7B
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 310mA (Ta) 300mW (Ta) Oberflächenmontage X2-DFN0606-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	310mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,5Ohm bei 100mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	0.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	15.4 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	300mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	X2-DFN0606-3
Gehäuse / Hülle	3-XFDFN
Basis-Produktnummer	DMN31

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