Name: DMN1150UFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1150UFB-7BDITR-ND
Price: 0.3927 EUR
Availability: InStock

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DMN1150UFB-7B
DigiKey-Teilenr.	DMN1150UFB-7BDITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMN1150UFB-7BDICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMN1150UFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN1150UFB-7B
Beschreibung	MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 12 V 1,41 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage X1-DFN1006-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMN1150UFB-7B Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,41 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	150mOhm bei 1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	106 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	500mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	X1-DFN1006-3
Gehäuse / Hülle	3-UFDFN
Basis-Produktnummer	DMN1150

Stückpreis ohne MwSt.:	0,33000 €
Stückpreis mit MwSt.:	0,39270 €