Name: DMN10H099SFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H099SFG-7DITR-ND
Price: 1.0948 EUR
Availability: InStock

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DMN10H099SFG-7
DigiKey-Teilenr.	DMN10H099SFG-7DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMN10H099SFG-7DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMN10H099SFG-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN10H099SFG-7
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 4,2 A (Ta) 980mW (Ta) Oberflächenmontage POWERDI3333-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,2 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	80mOhm bei 3,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	25.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1172 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	980mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	POWERDI3333-8
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	DMN10