Name: DMN1008UFDF-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1008UFDF-13DITR-ND
Price: 0.6426 EUR
Availability: InStock

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DMN1008UFDF-13
DigiKey-Teilenr.	DMN1008UFDF-13DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMN1008UFDF-13DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMN1008UFDF-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN1008UFDF-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 12 V 12,2 A (Ta) 700mW (Ta) Oberflächenmontage U-DFN2020-6 (Typ F)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12,2 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8mOhm bei 5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	23.4 nC @ 8 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	995 pF @ 6 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	700mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	U-DFN2020-6 (Typ F)
Gehäuse / Hülle	6-UDFN mit freiliegendem Pad
Basis-Produktnummer	DMN1008

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