Name: DMG3415UFY4Q-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG3415UFY4Q-7DITR-ND
Price: 0.6902 EUR
Availability: InStock

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DMG3415UFY4Q-7
DigiKey-Teilenr.	DMG3415UFY4Q-7DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMG3415UFY4Q-7DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMG3415UFY4Q-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMG3415UFY4Q-7
Beschreibung	MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 16 V 2,5 A (Ta) 650mW (Ta) Oberflächenmontage X2-DFN2015-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMG3415UFY4Q-7 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	16 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	2,5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	39mOhm bei 4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	282 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	650mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	X2-DFN2015-3
Gehäuse / Hülle	3-XDFN
Basis-Produktnummer	DMG3415

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