Name: BS107PSTZ
Brand: Diodes Incorporated
SKU: BS107PSTZTB-ND
Price: 1.4518 EUR
Availability: InStock

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BS107PSTZ
DigiKey-Teilenr.	BS107PSTZDICT-ND - Gurtabschnitt (CT) BS107PSTZTB-ND - Band & Box (TB)
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	BS107PSTZ
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Durchkontaktierung E-Line (TO-92-kompatibel)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs (Max.) ±20V
Herst. Diodes Incorporated	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 85 pF @ 25 V
Verpackung Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Verlustleistung (max.) 500mW (Ta)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 120mA (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten E-Line (TO-92-kompatibel)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,6V, 5V	Gehäuse / Hülle E-Line-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 30Ohm bei 100mA, 5V	Basis-Produktnummer BS107

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