Name: AMTP65H150G4LSGB
Brand: Analog Power Inc.
SKU: 5318-AMTP65H150G4LSGB-ND
Price: 42.6377 EUR
Availability: InStock

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AMTP65H150G4LSGB
DigiKey-Teilenr.	5318-AMTP65H150G4LSGB-ND
Hersteller	Analog Power Inc.
Hersteller-Teilenummer	AMTP65H150G4LSGB
Beschreibung	GAN FET N-CH 650V 13A DFN8X8
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 13 A (Tc) 52W (Tc) Oberflächenmontage 4-DFN (8x8)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Analog Power Inc.
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	13 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	180mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	8.8 nC @ 6 V
Vgs (Max.)	±18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	760 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	52W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	4-DFN (8x8)
Gehäuse / Hülle	4-PowerTSFN

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