AM4417P-CT
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AM4417P-CT

DigiKey-Teilenr.
5318-AM4417P-CT-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
AM4417P-CT
Beschreibung
MOSFET P-CH -60V 11.1A SOIC-8
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 60 V 11,1 A (Ta) 3,1W (Ta) Oberflächenmontage SOIC-8
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Streifen
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
23mOhm bei 7,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
90 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
9258 pF @ 15 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOIC-8
Gehäuse / Hülle
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