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Direkter Ersatz

TK11A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 79
Stückpreis : 1,72000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz

TK12A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 53
Stückpreis : 3,11000 €
Datenblatt

Ähnlich

FCPF400N80Z
onsemi
Vorrätig: 1.084
Stückpreis : 3,64000 €
Datenblatt

Ähnlich

FDPF17N60NT
onsemi
Vorrätig: 1.005
Stückpreis : 2,87000 €
Datenblatt

Ähnlich

IPAN80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 2,54000 €
Datenblatt

Ähnlich

R6011ENX
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 500
Stückpreis : 3,46000 €
Datenblatt

Ähnlich

STF13N60M2
STMicroelectronics
Vorrätig: 1.270
Stückpreis : 1,56000 €
Datenblatt

Ähnlich

STF13NM60ND
STMicroelectronics
Vorrätig: 662
Stückpreis : 2,62000 €
Datenblatt

Ähnlich

STF15N60M2-EP
STMicroelectronics
Vorrätig: 1.550
Stückpreis : 2,23000 €
Datenblatt

Ähnlich

STF16N65M2
STMicroelectronics
Vorrätig: 45
Stückpreis : 0,82000 €
Datenblatt

Ähnlich

TK10A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 25
Stückpreis : 1,65000 €
Datenblatt

Ähnlich

TK10A60W,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 0
Stückpreis : 1,25453 €
Datenblatt

Ähnlich

TK14A65W5,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 0
Stückpreis : 1,87460 €
Datenblatt
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TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AOTF11S60L

DigiKey-Teilenr.
AOTF11S60L-ND
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Hersteller-Teilenummer
AOTF11S60L
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 11 A (Tc) 38W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie
aMOS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
11 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
399mOhm bei 3,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
545 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
38W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
AOTF11
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