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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 37
Stückpreis : 1,89000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz


Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 0
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Vorrätig: 1.030
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Vorrätig: 0
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Vorrätig: 343
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Vorrätig: 0
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Vorrätig: 1.678
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Vorrätig: 603
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STMicroelectronics
Vorrätig: 969
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Toshiba Semiconductor and Storage
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Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 0
Stückpreis : 1,67500 €
Datenblatt
N-Kanal 600 V 11 A (Tc) 38W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F
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AOTF11S60L

DigiKey-Teilenr.
AOTF11S60L-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
AOTF11S60L
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 11 A (Tc) 38W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,1V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
11 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
545 pF @ 100 V
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Verlustleistung (max.)
38W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
399mOhm bei 3,8A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (13)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
TK11A65W,S5XToshiba Semiconductor and Storage37TK11A65WS5X-ND1,89000 €Direkter Ersatz
TK12A60W,S4VXToshiba Semiconductor and Storage0264-TK12A60W,S4VX-ND4,47000 €Direkter Ersatz
FCPF400N80Zonsemi1.030FCPF400N80Z-ND4,31000 ۀhnlich
FDPF17N60NTonsemi718FDPF17N60NTFS-ND3,73000 ۀhnlich
IPAN80R360P7XKSA1Infineon Technologies0IPAN80R360P7XKSA1-ND2,78000 ۀhnlich
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