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Image of Wolfspeed C4MS Series Gen 4 SiC MOSFETs
Neues Produkt New Product
Gen-4-SiC-MOSFETs der Serie C4MS Datum der Veröffentlichung: 2026-02-05

Die Serie C4MS von Wolfspeed bietet transiente Überspannungsfestigkeit, eine längere Lebensdauer bei erhöhten Busspannungen und eine große Gate-Spannungskompatibilität.

Image of Wolfspeed DM Silicon Carbide Half-Bridge Power Module Siliziumkarbid-Halbbrücken-Leistungsmodul DM Aktualisiert: 2025-04-23

Die SiC-Halbbrücken-Leistungsmodule DM von Wolfspeed ermöglichen die Entwicklung von Wandlern mit hoher Leistungsdichte für Anwendungen mit Gewichts- und Platzbeschränkungen.

Image of Wolfspeed YM Silicon Carbide Power Modules Siliziumkarbid-Leistungsmodule YM Aktualisiert: 2025-06-11

Die SiC-Leistungsmodule YM von Wolfspeed verfügen über ein optimiertes Layout der Leistungsanschlüsse für minimale Gehäuseinduktivität, reduzierte Überschwingspannung und extrem niedrige Schaltverluste.

Image of Wolfspeed 1700 V Silicon Carbide MOSFETs Siliziumkarbid-MOSFETs für 1700 V Datum der Veröffentlichung: 2025-03-19

Die 1700-V-SiC-MOSFETs von Wolfspeed sind für eine hervorragende Vielseitigkeit in Hilfsstromversorgungen optimiert.

Image of Wolfspeed's WolfPACK™ SiC Power Modules Siliziumkarbid-Leistungsmodule WolfPACK™ Aktualisiert: 2025-03-19

Die SiC-Leistungsmodule WolfPACK™ von Wolfspeed bieten eine hervorragende Lösung für eine schnelle Implementierung, eine hohe Skalierbarkeit und einen geringeren Montageaufwand.

Image of Wolfspeed's 650 V Z-REC™ SiC Schottky Diode 650-V-SiC-Schottky-Dioden Aktualisiert: 2025-03-19

Die 650-V-Schottky-Dioden von Wolfspeed machen effiziente Systeme kostengünstig.

Image of Wolfspeed Industrial Silicon Carbide Schottky Diodes Siliziumkarbid-Schottky-Dioden C3D Datum der Veröffentlichung: 2012-06-29

Die Schottky-Sperrschicht-Dioden (JBS) der Serie Z-Rec™ von Wolfspeed nutzen den einzigartigen Vorteil von Siliziumkarbid gegenüber Silizium, um Schaltverluste praktisch zu eliminieren.

Image of 1200 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs Diskrete 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs Datum der Veröffentlichung: 2025-01-17

Die diskreten 1.200 V Siliziumkarbid-MOSFETs von Wolfspeed bieten einen niedrigen RDS(ON) über die Temperatur.

Image of Wolfspeed XM Silicon Carbide Power Module Platform Siliziumkarbid-Leistungsmodulplattform XM3 Aktualisiert: 2025-02-12

Die Leistungsmodulplattform XM3 von Wolfspeed maximiert die Vorteile der SIC-Technologie und sorgt gleichzeitig für ein einfaches, robustes und kostengünstiges Systemdesign.

Image of Wolfspeed, Inc. Silicon Carbide Solutions for Servo Drives Siliziumkarbid-(SiC)-Lösungen für Servoantriebe Datum der Veröffentlichung: 2024-11-14

Das Portfolio von Wolfspeed an SiC-MOSFETs, Schottky-Dioden und Leistungsmodulen ermöglicht eine größere Flexibilität bei der Gestaltung von Servoantrieben mit Siliziumkarbid.

Image of Wolfspeed Silicon Carbide Solutions for Industrial Low Voltage Motor Drives Siliziumkarbid-Lösungen für industrielle Motorantriebe mit niedriger Spannung Datum der Veröffentlichung: 2024-11-08

Das umfassende Wolfspeed-Sortiment von SiC-MOSFETs und Schottky-Dioden bietet Flexibilität bei der Entwicklung effizienter Motorantriebslösungen mit niedriger Spannung

Image of Wolfspeed Silicon Carbide Solutions for Heat Pumps and Air Conditioners Siliziumkarbid-Lösungen für Wärmepumpen und Klimaanlagen Datum der Veröffentlichung: 2024-10-25

Die Siliziumkarbid-Lösungen von Wolfspeed ermöglichen effiziente Wärmepumpen und Klimageräte mit minimaler Neuentwicklung.

Image of Wolfspeed HAS 62 mm Silicon Carbide Power Modules 62-mm-Siliziumkarbid-Leistungsmodule HAS Datum der Veröffentlichung: 2024-10-04

Die für extreme Umweltbedingungen entwickelten 62-mm-Leistungsmodule HAS von Wolfspeed bieten hohe Werte bei Leistung, Wirkungsgrad und Zuverlässigkeit.

Image of Wolfspeed's 2,300 V Silicon Carbide Power Modules 2300-V-Siliziumkarbid-Leistungsmodule Datum der Veröffentlichung: 2024-09-04

2300-V-Module aus Siliziumkarbid von Wolfspeed ermöglichen einen Bausteinansatz zur einfachen Leistungsskalierung von 100 kW bis MW.

Image of Wolfspeed's C6D10170H Silicon Carbide Schottky Diode Schottky-Diode C6D10170H aus Siliziumkarbid Aktualisiert: 2024-08-26

Die Schottky-Diode C6D10170H von Wolfspeed aus Siliziumkarbid sorgt für niedrigere Gesamtsystemkosten in einer Vielzahl unterschiedlicher Anwendungen.

Image of Wolfspeed CRD25DA12N-FMC 25 kW Three-Phase Inverter Dreiphasiger 25-kW-Wechselrichter CRD25DA12N-FMC Datum der Veröffentlichung: 2024-08-14

Der dreiphasige Wechselrichter CRD25DA12N-FMC von Wolfspeed wurde entwickelt, um Entwicklern eine schnelle Evaluierung von Wirkungsgrad und Leistungsdichte zu ermöglichen.

Image of Wolfspeed's 750 V Silicon Carbide MOSFETs 750 V Siliziumkarbid-MOSFETs – TO-247-4-Gehäuse mit niedrigem Profil Datum der Veröffentlichung: 2024-05-30

Die 750-V-MOSFETs im TO-247-4-Gehäuse von Wolfspeed mit niedrigem Profil bieten größere Flexibilität bei der Entwicklung, höhere Zuverlässigkeit und niedrigere Ausfallraten.

Image of Wolfspeed's C6D Series Silicon Carbide Schottky Diodes 650-V-SiC-Schottky-Dioden der Serie C6 in einem TO-247-2L-Gehäuse Aktualisiert: 2024-08-14

Die Siliziumkarbid-Schottky-Dioden der Serie C6D von Wolfspeed bieten eine höhere Strombelastbarkeit, um die steigenden Strompegel bei Anwendungen im Bereich der erneuerbaren Energien zu bewältigen.

Image of Wolfspeed's SpeedVal Kit™ Modular Evaluation Platform Modulare Evaluierungsplattform SpeedVal™ Kit Aktualisiert: 2024-06-12

Die modulare Siliziumkarbid-Evaluierungsplattform SpeedVal™ Kit von Wolfspeed bietet ein flexibles Sortiment von Bausteinen für die In-Circuit-Evaluierung der Systemperformance.

25kW bi-directional AC/DC AFE featuring Wolfspeed WolfPACK power modules Siliziumkarbid für die Schnellladung von Elektrofahrzeugen Datum der Veröffentlichung: 2022-04-19

Leistungsmodule aus Siliziumkarbid (SiC) ermöglichen erhebliche Vorteile für Schnellladesysteme für Elektrofahrzeuge. Die Gatetreiber-Boards von Skyworks helfen bei der Evaluierung dieser Vorteile. Erfahren Sie jetzt mehr!