Siliziumkarbid-Halbbrücken-Leistungsmodul DM
Die DM-Leistungsmodule von Wolfspeed bieten höhere Leistungsdichte auf leichter Plattform
Die Modulfamilie DM von Wolfspeed ist auf eine außergewöhnliche Strombelastbarkeit bei einem kleinen Formfaktor mit minimalem Gewicht (41 g) ausgelegt. Dank DM können Entwickler Siliziumkarbid-Wandler mit hoher Leistungsdichte für Anwendungen mit Gewichts- und Platzbeschränkungen herstellen. Mit einer leichten AlSiC-Grundplatte und einem hochzuverlässigen Leistungssubstrat aus Siliziumnitrid (Si3N4) zur Gewährleistung der mechanischen Robustheit ermöglicht das optimierte Gehäuse den Dauerbetrieb bei einer Sperrschichttemperatur von +175 °C.
Die DM4-Option umfasst die Gen-4-Technologie, die die kosmische FIT-Rate für den Betrieb in größeren Höhen reduziert. Die Nutzung von kostengünstigeren Leiterplatten im Vergleich zu einer herkömmlichen Stromschienenlösung hilft, Entwicklungszeit und -kosten zu reduzieren.
Zu den üblichen Anwendungen für die DM-Leistungsmodule gehören Wechselrichter für die Elektromobilität, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, hocheffiziente Wandler und erneuerbare Energien.
- Extrem geringe Masse für gewichtskritische Systeme
- Hochfrequenzbetrieb
- Footprint mit hoher Leistungsdichte
- Betrieb bei hoher Sperrschichttemperatur (+175 °C)
- Isolator aus Siliziumnitrid
- Leichte AlSiC-Grundplatte
- Kein Abschalt-Schweifstrom vom MOSFET
- Ausfallsicherer Normal-Aus-Gerätebetrieb
- Gen-4-Optionen
- Wechselrichter für die E-Mobilität
- EV-Ladegeräte
- Hocheffiziente Wandler/Wechselrichter
- Erneuerbare Energien
DM Silicon Carbide Half-Bridge Power Module
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | CAB3R5M12DM4 | SIC MODULE | 8 - Sofort | $591.25 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | CAB003M09DM3 | MOSFET 2N-CH 900V 518A MODULE | 1 - Sofort | $1,450.38 | Details anzeigen |





