TrenchFET Gen IV MOSFETs

Vishay/Siliconix präsentiert die nächste Generation der 30 V n-Kanal-Leistungs-MOSFETs aus der TrenchFET-Gen-IV-Produktfamilie. Die SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP und SiSA04DN verwenden ein neues hochkompaktes Design und bieten den branchenweit niedrigsten Betriebswiderstand (bis hinunter zu 1,35 mΩ bei 4,5 V) sowie eine niedrige Gate-Ladung in PowerPAK®-SO-8- und 1212-8-Gehäusen.

Die nächste Generation der 30-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs aus der TrenchFET Gen IV-Produktfamilie von Vishay basiert auf technologischen Verbesserungen beim Chipdesign, bei der Wafer-Verarbeitung und bei der Gehäusegestaltung. Diese machen sich in einer Reihe von Vorteilen für die Entwickler moderner Leistungselektroniksysteme bemerkbar. So bietet die Gen IV-Produktfamilie im Vergleich zu den Bausteinen der vorherigen Generation einen um mehr als 60 % verringerten On-Widerstand pro Chipfläche. Damit erreicht sie die branchenweit besten On-Widerstandswerte und ermöglicht einen geringeren Energieverbrauch und einen höheren Wirkungsgrad.