30 V PowerPAIR®-MOSFET (3 mm x 3 mm)

Vishay Siliconix kündigt einen neuen asymmetrischen 30 V Dual-TrenchFET-Leistungs-MOSFET im 3 mm x 3 mm PowerPAIR‏‎^®-Gehäuse an, der die TrenchFET-Technologie der vierten Generation nutzt. Die MOSFETs stellen einen um 57% geringeren On-Widerstand, eine um bis zu 25% höhere Leistungsdichte und eine um 5% höhere Effizienz als Geräte der Vorgängergeneration in dieser Gehäusegröße bereit. Die Bauteile SiZ340DT von Vishay Siliconix helfen dabei, Leistungsverluste zu reduzieren, Platz zu sparen und das Design von hocheffizienten Synchron-Abwärtswandlern durch die Kombination eines High- und Low-Side-MOSFETs in einem kompakten Gehäuse zu vereinfachen. Die für SiZ340DT verwendete TrenchFET-Technologie der vierten Generation setzt auf ein fortschrittliches Design von hoher Dichte, um den On-Widerstand zu senken und die Gateladung zu optimieren. Die MOSFETs SiZ340DT erzielen eine erhebliche Reduzierung der Leistungsverluste und weisen einen besseren Wirkungsgrad als Modelle von Wettbewerbern auf, insbesondere bei Ausgangsströmen von 10 A und mehr. Aufgrund von diesem höheren Wirkungsgrad kann SiZ340DT mit einer um 30% geringeren Betriebstemperatur bei derselben Ausgangslast betrieben werden als Geräte früherer Generationen oder eine höhere Leistungsdichte bereit stellen. Für typische DC/DC-Topologien mit Ausgangsströmen von 10 bis 15 A und einer Ausgangsspannung unter 2 V, sparen die  kompakten 3 mm x 3 mm Abmessungen des SiZ340DT potenziell bis zu 77% mehr Platz auf der Leiterplatte im Vergleich zu diskreten Lösungen, z.B. einem PowerPAK^® 1212-8-MOSFET für die High-Side und einem PowerPAK-SO-8 für die Low-Side. Der Baustein reduziert Schaltverluste und lässt höhere Schaltfrequenzen von mehr als 450 kHz zu, so dass die Größe der Leiterplatte verringert werden kann, indem kleinere Induktivitäten und Kondensatoren verwendet werden können.