30-V-n-Kanal-MOSFET SISD5300DN

Der vielseitige 30-V-n-Kanal-TrenchFET®-Leistungs-MOSFET der 5. Generation von Vishay verfügt über die Source-Flip-Technologie und befindet sich in einem 3,3 mm x 3,3 mm großen PowerPAK®-1212-F-Gehäuse. Mit dem gleichen Footprint wie der PowerPAK1212-8S bietet der SiSD5300DN einen um 18 % geringeren Betriebswiderstand und erhöht die Leistungsdichte, während seine Source-Flip-Technologie den thermischer Widerstand um +63 °C/W auf +56 °C/W verringert. Darüber hinaus stellt die Gütezahl (FOM)des MOSFET eine 35-prozentige Verbesserung gegenüber der Vorgängergeneration dar, was sich in reduzierten Leitungs- und Schaltverlusten niederschlägt und damit in Leistungswandlungsanwendungen Energie spart.

Die PowerPAK1212-F-Technologie kehrt die üblichen Proportionen von Erdungs- und Source-Lötflächen um, wodurch sich die Erdungskontaktfläche vergrößert, was zu einer effizienteren Wärmeableitung und damit zu einem kühleren Betrieb führt. Gleichzeitig minimiert das PowerPAK 1212-F die Größe des Schaltbereichs und trägt so dazu bei, die Auswirkungen von Leiterbahnrauschen zu verringern. Im PowerPAK 1212-F-Gehäuse erhöht sich die Dimension der Lötfläche um den Faktor 10, von 0,36 mm auf 4,13 mm, was eine entsprechende Verbesserung der thermischen Performance ermöglicht. Das „Center-Gate“-Design des PowerPAK1212-F vereinfacht auch die Parallelisierung mehrerer Komponenten auf einer einlagigen Platine.