Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Schottky-Sperrschichtdioden TRSxxx65H

Die Schottky-Sperrschichtdioden (SBDs) von Toshiba aus Siliziumkarbid (SiC) sind für Industrieanlagen bestimmt

Abbildung: Schottky-Sperrschichtdioden TRSxxx65H von ToshibaDie SiC-SBDs der Serie TRSxxx65H von Toshiba für Industrieanlagen verwenden einen SiC-SBD-Chip der dritten Generation, der die Schottky-Sperrschichtstruktur (JBS) optimiert. Diese Komponenten erreichen eine sehr niedrige Durchlassspannung von 1,2 V (typ.), die 17 % niedriger ist als die 1,45 V (typ.) der vorherigen Generation. Außerdem verbessern sie das Verhältnis zwischen Durchlassspannung und kapazitiver Gesamtladung sowie zwischen Durchlassspannung und Sperrstrom, was die Verlustleistung reduziert und die Effizienz der Geräte verbessert. Die Produkte sind in TO-220-2L-Gehäusen und fünf in DFN8×8-Gehäusen erhältlich.

Merkmale/Funktionen
  • Niedrige Durchlassspannung: VF = 1,2 V (typ.) (IF  = IF(DC))
  • Niedriger Rückstrom: TRS6E65H IR = 1,1 µA (typ.) (VR = 650 V)
  • Niedrige kapazitive Gesamtladung: TRS6E65H QC = 17 nC (typ.) (VR  = 400 V, f = 1 MHz)
Anwendungen/Zielmärkte
  • Schaltnetzteile
  • Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV)
  • Photovoltaik-Wechselrichter

TRSxxx65H Schottky Barrier Diodes

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
DIODE SIL CARBIDE 650V 2A TO220LTRS2E65H,S1QDIODE SIL CARBIDE 650V 2A TO220L0 - Sofort$2.25Details anzeigen
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220LTRS4E65H,S1QDIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220L11 - Sofort$2.34Details anzeigen
DIODE SIL CARBIDE 650V 3A TO220LTRS3E65H,S1QDIODE SIL CARBIDE 650V 3A TO220L0 - Sofort$1.87Details anzeigen
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220LTRS6E65H,S1QDIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220L180 - Sofort$2.72Details anzeigen
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220LTRS8E65H,S1QDIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L313 - Sofort$2.89Details anzeigen
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 4DFNEPTRS6V65H,LQDIODE SIL CARBIDE 650V 6A 4DFNEP4417 - Sofort$2.53Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220LTRS10E65H,S1QDIODE SIL CARB 650V 10A TO220L116 - Sofort$3.64Details anzeigen
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEPTRS8V65H,LQDIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP4487 - Sofort$2.92Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220LTRS12E65H,S1QDIODE SIL CARB 650V 12A TO220L17 - Sofort$2.35Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEPTRS10V65H,LQDIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP3320 - Sofort$3.36Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEPTRS12V65H,LQDIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP3817 - Sofort$3.74Details anzeigen
Veröffentlicht: 2024-08-23

Related Product Highlight

1,6-kW-LLC-AC/DC-Resonanzwandler Der 1,6-kW-LLC-AC/DC-Resonanzwandler von Toshiba wurde für eine Vielzahl von Halbleitern entwickelt, um Anwendungen wie AC/DC-Wandler für 48-V-Server zu unterstützen.
3-kW-Netzteil für 48-V-Server- und Telekommunikationsanwendungen Die SiC-MOSFETs und Niederspannungs-MOSFETs von Toshiba wurden entwickelt, um den Herausforderungen moderner Serverdesigns wie der erhöhten Raumdichte gerecht zu werden.