Niederspannungs-MOSFETs der nächsten Generation
Der 40 V U-MOS der IX-H-Serie liefert einen branchenführenden RDS(ON)
Toshiba's U-MOS-IX-H der nächsten Generation realisiert einen niedrigen Durchlaßwiderstand. Die neuen MOSFETs bieten außerdem einen niedrigen Qoss für eine erhöhte Effizienz in Schaltnetzteilen, die in Basisstationen, Servern oder Industrieanlagen verwendet werden.
Das erste Gerät der Serie – eine 40-V-Version – hat einen typischen RDS(ON) von 0,7 mΩ (max. 0,85 mΩ) und eine typische Ausgangsladung (Qoss) von 85,4 nC. Ausgelegt für 40 V wird der TPHR8504PL in einem Ultraminiatur-SOP-Advance-Gehäuse mit Abmessungen von nur 5 x 6 mm geliefert und der TPWR8004PL ist in einem beidseitig gekühlten Gehäuse mit Abmessungen von ebenfalls 5 x 6 mm erhältlich.
Bessere Kompromisse zwischen Ausgangsladung und RDS(ON) führen zu mehr Effizienz. Dadurch kann die Serie U-MOS-IX-H Entwicklern helfen, sowohl den Stromverbrauch als auch die Gerätegröße zu reduzieren.
Die Serie UMOS-IX-H wird zunächst in einer 40-V-Version verfügbar sein und in den kommenden Monaten mit Angeboten von 30 V bis 60 V erweitert. Bitte kontaktieren Sie Digikey oder Toshiba, falls Sie Vorschläge zu anderen konkreten Spannungen haben.
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Next-Gen Low-Voltage MOSFETs
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | ||
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![]() | ![]() | TPHR8504PL,L1Q | MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP | 0 - Sofort | $2.31 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | TPWR8004PL,L1Q | MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP | 61 - Sofort | $3.64 | Details anzeigen |




