onsemi

Siliziumkarbid-(SiC)-Kaskoden-JFETs

JFETs von ONSemi sind in Versionen zur Durchsteck- und Oberflächenmontage erhältlich

Abbildung: SiC-Kaskoden-JFETs von ONSemi Die hochleistungsfähigen SiC-Kaskoden-JFETs von ONSemi bieten eine hervorragende Schaltgeschwindigkeit, geringere Schaltverluste und einen höheren Wirkungsgrad. Sie verfügen über eine hohe Schaltfrequenz und einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand (RDS(ON)) von nur 5 mΩ in einem Chip, der gerade einmal halb so groß ist wie bei anderer Technologien. Die JFETs sind in branchenüblichen Gehäusen sowohl zur Durchsteck-(einschließlich Kelvin) als auch zur Oberflächenmontage erhältlich und bieten eine hervorragende Kosteneffizienz. Diese Bauelemente nutzen eine einzigartige Kaskodenkonfiguration, die einen leistungsfähigen, schnellen SiC-JFET mit einem für Kaskoden optimierten Si-MOSFET kombiniert. Dieser innovative Ansatz ermöglicht eine Standard-Gate-Ansteuerung (0 bis 12 V) für SiC-Bauelemente. Aufgrund ihrer geringeren Chipgröße und Kompatibilität mit bestehenden Treiberlösungen bieten die SiC-Kaskoden-JFETs eine optimierte Systemfunktion und Kostenstruktur.

Merkmale/Funktionen
  • Äußerst niedriger RDS(ON)
  • Maximale Betriebstemperatur: +175 °C
  • Hervorragende Sperrverzögerung
  • Geringe Gate-Ladung
Anwendungen/Zielmärkte
  • Laden von Elektrofahrzeugen
  • PV-Wechselrichter
  • Leistungsfaktorkorrektur
  • Motorantriebe
  • Induktionsheizung

Silicon Carbide (SiC) Cascode JFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7UF3C120400B7SSICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-73284 - Sofort$7.41Details anzeigen
SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7UF3C170400B7SSICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-73227 - Sofort$9.10Details anzeigen
SICFET N-CH 750V 28A TO247-3UJ4C075060K3SSICFET N-CH 750V 28A TO247-314753 - Sofort
17400 - Lagerbestand des Herstellers		$12.34Details anzeigen
SICFET N-CH 750V 28A TO247-4UJ4C075060K4SSICFET N-CH 750V 28A TO247-4305 - Sofort
6600 - Lagerbestand des Herstellers		$10.54Details anzeigen
1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,UF4C120070K3S1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,708 - Sofort
3000 - Lagerbestand des Herstellers		$11.26Details anzeigen
MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3UF3C065040K3SMOSFET N-CH 650V 54A TO247-31190 - Sofort
4800 - Lagerbestand des Herstellers		$15.62Details anzeigen
750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, TUJ4C075044K4S750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T329 - Sofort
4800 - Lagerbestand des Herstellers		$11.92Details anzeigen
750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, TUJ4C075033K4S750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T2732 - Sofort$12.90Details anzeigen
750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, TUJ4C075023K4S750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T465 - Sofort
14400 - Lagerbestand des Herstellers		$9.87Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7UF3C120080B7SSICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-71409 - Sofort
800 - Lagerbestand des Herstellers		$15.39Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3UJ3C120080K3SSICFET N-CH 1200V 33A TO247-33982 - Sofort$16.95Details anzeigen
SICFET N-CH 750V 81A TO247-3UJ4C075018K3SSICFET N-CH 750V 81A TO247-34044 - Sofort$10.88Details anzeigen
MOSFET N-CH 650V 65A TO263UJ3C065030B3MOSFET N-CH 650V 65A TO2633386 - Sofort
11200 - Lagerbestand des Herstellers		$20.23Details anzeigen
MOSFET N-CH 650V 85A TO247-3UJ3C065030K3SMOSFET N-CH 650V 85A TO247-32902 - Sofort
4500 - Lagerbestand des Herstellers		$20.64Details anzeigen
SICFET N-CH 750V 53A TOLLUJ4SC075018L8SSICFET N-CH 750V 53A TOLL920 - Sofort
34000 - Lagerbestand des Herstellers		$17.33Details anzeigen
750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CASUJ4SC075018B7S750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS961 - Sofort
12800 - Lagerbestand des Herstellers		$18.20Details anzeigen
MOSFET N-CH 650V 65A TO263UF3C065030B3MOSFET N-CH 650V 65A TO2632307 - Sofort
6400 - Lagerbestand des Herstellers		$20.23Details anzeigen
SICFET N-CH 750V 81A TO247-4UJ4C075018K4SSICFET N-CH 750V 81A TO247-4650 - Sofort$18.74Details anzeigen
MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3UJ3C065030T3SMOSFET N-CH 650V 85A TO220-30 - Sofort$20.53Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4UF3C120040K4SSICFET N-CH 1200V 65A TO247-41038 - Sofort
9000 - Lagerbestand des Herstellers		$23.62Details anzeigen
Veröffentlicht: 2025-07-25

Related Product Highlight

Gen-4-1200-V-SiC FETs für 800-V-Busanwendungen Die SiC-FET-Serie der 4. Generation UF4C/SC von onsemi basiert auf einer einzigartigen Kaskodenkonfiguration, ist für 1200 V ausgelegt und in Optionen von 23 mΩ bis 70 mΩ erhältlich.
Gen-4-750-V-SiC-FETs ermöglichen Leistungsdesigns der nächsten Generation Der SiC-FET der 4. Generation von onsemi ist für 750 V ausgelegt und bietet Leistungsdaten, die die Leitungsverluste senken und die Effizienz bei höheren Geschwindigkeiten erhöhen.
SiC-FETs UF3SC mit RDS(on) unter 10 Milliohm Die SiC-FETs UF3SC von onsemi mit RDS(on)-Werten von 7 mΩ bei 650 V und 9 mΩ bei 1200 V sind in branchenüblichen 3- und 4-poligen TO247-Kelvin-Gehäusen erhältlich.

Related Articles and Blogs

Halbleiter mit großer Bandlücke gestalten das Transportwesen neu Der gesamte Verkehrssektor befindet sich in einem radikalen Umbruch mit Lösungen für Elektro- und Hybridautos und einen saubereren Massentransport.
Halbleiter mit großer Bandlücke in Luft- und Raumfahrt- sowie Satellitenanwendungen Halbleiter mit großer Bandlücke bieten mehrere Vorteile bei der Leistungswandlung, z. B. eine höhere Leistungsdichte und einen höheren Wirkungsgrad sowie eine Verringerung der Systemgröße und des Gewichts.