MOSFETs mit Super-Junction- und Split-Gate-Technologie

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Produktempfehlungen > MOSFETs mit Super-Junction- und Split-Gate-Technologie

            MOSFETs mit Super-Junction- und Split-Gate-Technologie 
                    Die MOSFETs von Micro Commercial Components sind robust und bieten eine hohe EMI-Performance

Abbildung: Super-Junction- und Split-Gate-Technologie-Mosfets von MCC Die Super-Junction-Hochspannungs-Mosfet-Plattform von Micro Commercial Components reicht von 650 V ~ 800 V Nennspannung unter Verwendung des Multi-EPI-Verfahrens. Dies macht die Teile robuster mit besserer EMI-Performance und eignet sich gut für primärseitige Hochleistungsanwendungen.

Split-Gate-MOSFETs bieten einen extrem niedrigen R_SP-Wert, erreichen eine höhere Stromdichte in kleineren Gehäusen und sind für Anwendungen mit platzsparenden und hocheffizienten Anforderungen geeignet.

Das aktuelle SGT-Portfolio bietet Nennspannungsbereiche von 30 V ~ 150 V und 1,5 mOhm ist der niedrigste R_DSon-Wert.

Merkmale

Breites Produktportfolio
Niedriger R_SP-Wert
Hoher Wirkungsgrad

Hohe Qualität
Schnelle Lieferung

Veröffentlicht: 2020-06-09

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MOSFET mit Split-Gate-Technologie Die MOSFET mit Split-Gate-Technologie von Micro Commercial Components bieten einen extrem niedrigen RDS(on) und ermöglichen somit eine höhere Stromdichte in kleineren Gehäusen.

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