MOSFET mit Split-Gate-Technologie

Produkte
Zurück
Hersteller
Zurück
Ressourcen
Zurück
- Entwicklung
- Inhalt
- Anwendungen und Technologien
- Artikel und Blogs
- eMagazine und eBooks
- Maker.io
- Produktschulungen - Bibliothek
- Tech Forum
- Schulungen und Veranstaltungen
- Video-Bibliothek
- Webinare
- Suchen
Zurück
Zurück
- Programme und Dienstleistungen
- Automatisierung und Steuerung
- Design- und Integrationsdienste
- Digitale Lösungen
- Akademisches Programm
- IoT-Lösungen
- Bauteilrückverfolgung
- Produktdienstleistungen
Zurück
- Einkauf
- Tools
- My Lists
- Angebote
- Produkte
- Hersteller
Angebot anfordern

Produktempfehlungen > MOSFET mit Split-Gate-Technologie

            MOSFET mit Split-Gate-Technologie
                    MOSFET mit Split-Gate-Technologie von MCC eignen sich für platzsparende und hocheffiziente Anwendungen
    

Abbildung: MOSFET mit Split-Gate-Technologie von MCC Die MOSFET mit Split-Gate-Technologie von Micro Commercial Components bieten einen extrem niedrigen R_DS(on) und ermöglichen eine höhere Stromdichte in kleineren Gehäusen. Dadurch eignen sie sich für platzsparende und hocheffiziente Anwendungen.

Vorteile der Split-Gate-Technologie

Steigerung bei BV_DSS
Höhere N-Dotierung in Drift-Region minimiert R_DS(on)
Senkung der Q_GD, was Miller-Ladungskopplung verringert

Verbesserung bei FOM reduziert Schalt- und Leitungsverluste
Aktuelles SGT-Sortiment deckt Nennspannungen von 30 V bis 150 V und niedrigsten R_DS(on) von 1,5 mΩ in gängigen Gehäusen ab

Merkmale und Vorteile

Breites LV-MOSFET-Sortiment
Niedriger R_SP (spezifischer Widerstand im EIN-Zustand)
Hoher Wirkungsgrad

Hohe Qualität
Schnelle Lieferung

Veröffentlicht: 2020-05-22

Related Product Highlight

MOSFETs mit Super-Junction- und Split-Gate-Technologie Die Super-Junction- und Split-Gate-MOSFETs von Micro Commercial Components eignen sich für primärseitige Hochleistungsanwendungen.

MOSFET mit Split-Gate-Technologie