SiC-MOSFETs IXSJxxN120R1

Die Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs der Serie IXSJxxN120R1 von IXYS/Littelfuse bieten eine außergewöhnliche Leistung für Hochspannungs- und hocheffiziente Stromumwandlungssysteme. Mit einer Sperrspannung von bis zu 1200 V und einem niedrigen typischen Durchlasswiderstand von nur 18 mΩ sind diese Bauelemente für Anwendungen optimiert, die schnelles Schalten, geringe Leitungsverluste und eine hervorragende thermische Leistung erfordern. Die Komponenten zeichnen sich durch eine geringe Gate-Ladung und Eingangskapazität aus, wodurch die Gate-Treiberleistung reduziert und Schaltverluste minimiert werden. Sie eignen sich ideal für den Einsatz in Ladeinfrastrukturen für Elektrofahrzeuge (EV), Solarwechselrichtern und Hochfrequenz-Stromversorgungen.

Die MOSFETs der Serie IXSJxxN120R1 sind in einem isolierten TO-247-3L-Gehäuse untergebracht und bieten ein verbessertes Wärmemanagement und eine verbesserte elektrische Isolierung, wodurch sie auch in rauen Umgebungen einen robusten Betrieb gewährleisten. Der große Gate-Spannungsbereich und die geringen EMI-Eigenschaften machen sie zu einer vielseitigen Wahl für Entwickler, die die Effizienz und Zuverlässigkeit ihrer Systeme verbessern möchten. Ob in Motorantrieben, Batterieladegeräten oder unterbrechungsfreien Stromversorgungen – diese SiC-MOSFETs bieten die Leistung und Langlebigkeit, die für die Leistungselektronik der nächsten Generation erforderlich sind.