IXYS Integrated Circuits Division

SiC-MOSFET- und IGBT-Treiber IX4351NE mit Spitzenausgangsleistung von 9 A

IX4351NE von IXYS, a Littelfuse technology verfügt über Schutzfunktionen wie Unterspannungs- und Übertemperaturabschaltung

Abbildung: SiC-MOSFET- und IGBT-Treiber IX4351NE von IXYS mit Spitzenausgangsleistung von 9 AIXYS, a Littelfuse technology, hat einen Treiber speziell für SiC-MOSFET und Hochleistungs-IGBT entwickelt. Separate 9-A-Source- und Sink-Ausgänge ermöglichen individuelle Ein- und Ausschaltzeitpunkte und minimieren gleichzeitig die Schaltverluste. Ein interner Regler für die negative Ladung bietet eine wählbare negative Gate-Ansteuervorspannung für eine höhere dV/dT-Immunität und eine schnellere Deaktivierung.

Merkmale
  • Separate Source- und Sink-Ausgänge bis max. 9 A
  • Betriebsspannungsbereich: -10 V bis +25 V
  • Interner Regler für negative Ladungspumpe, um Auswahl der negativen Gate-Ansteuervorspannung zu ermöglichen
  • Entsättigungserkennung mit Sanftauslauf-Sink-Treiber
  • TTL- und CMOS-kompatibler Eingang
  • Unterspannungsabschaltung (UVLO)
  • Thermische Abschaltung
  • Open-Drain-Fehlerausgang (FAULT)

SiC MOSFET and IGBT Driver 9 A Peak Output – IX4351NE

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOICIX4351NEIC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC1036 - Sofort$2.59Details anzeigen

Evaluation Board

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungFunktionEmbeddedPrimärattributeVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
EVAL BOARD FOR IX4351IX4351-EVALEVAL BOARD FOR IX4351Gate-Treiber-Isoliert0 - Sofort$131.84Details anzeigen
Aktualisiert: 2020-06-03
Veröffentlicht: 2020-01-17

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