Webinar - Siliziumkarbid- und Multitechnologie-Lösungen in neuartigen isolierten Gehäusen

Die Siliziumkarbid(SiC)-Technologie revolutioniert den Industrie- und Automobilsektor, und der Wettlauf um eine höhere Leistungsdichte und Systemeffizienz wird immer intensiver. Schaltleistung, Wärmemanagement und Entwurf im Hinblick auf die Herstellbarkeit (DFM) sind nach wie vor Herausforderungen für neue SiC-Bauelemente und Multi-Technologielösungen.

Nehmen Sie an einem exklusiven Webinar mit Roderick Smith, NA Power Semiconductor/IC Business Development Manager von Littelfuse Inc. teil, in dem innovative SiC-Gehäuse und Schutzlösungen vorgestellt werden, mit denen diese Hürden überwunden und Ihr Systemdesign verbessert werden kann.

Inhalt:

• Innovative SiC-Gehäuse
  Tauchen Sie ein in isolierte diskrete und Multichip-Lösungen wie SMPD (Surface Mount Power Device) und TO247-Gehäuse in 3- und 4-Leiter-Konfigurationen.
• Kosteneffiziente SiC-Angebote
  Entdecken Sie die kostengünstigen Standard-SiC-Bauelemente von Littelfuse (650 V bis 1,7 kV) in gängigen Formaten wie 4L247, D2PAK, DPAK, TOLL und QDPAK.
• Gate-Treiber der nächsten Generation
  Entdecken Sie isolierte, SiC-optimierte Gate-Treiber, die für mehr Leistung und Zuverlässigkeit entwickelt wurden.
• Robuster Systemschutz
  Erfahren Sie, wie asymmetrische TVS-Bauelemente einen verbesserten Schutz gegen transiente Spannungsgefahren in SiC-basierten Systemen bieten.

Seien Sie dabei!

Ganz gleich, ob Sie eine hocheffiziente Leistungsumwandlung anstreben oder die Grenzen der thermischen Leistung ausloten wollen, dieses Webinar bietet Ihnen eine Fülle von Erkenntnissen, die Ihnen helfen, die volle Leistung von SiC zu nutzen.

Wann: Mittwoch, 22. Oktober 2025, um 17:00 Uhr MESZ (10:00 AM CDT, USA)

Dauer: 1 Stunde

Melden Sie sich hier an, um am Webinar teilzunehmen, oder die vollständige Aufzeichnung im Anschluss an die Veranstaltung zu erhalten: https://event.on24.com/wcc/r/5093519/D127FC8AA26703B439A7B6EB5552D690?partnerref=blog