ePower™-Chipsatz

Der Chipsatz von EPC verfügt über ein thermisch verbessertes QFN-Gehäuse mit freiliegender Oberseite und optimierter Pinbelegung

Bild des Chipsatzes ePower von EPC Der ePower-Chipsatz von EPC integriert 100-V-GaN-Treiber und FETs mit bis zu 65 A, er bietet eine gering dimensionierte Lösung mit hoher Leistung für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte wie z. B. Gleichstromwandlung und Motorantriebe. Der eGaN®-IC EPC23101 und der eGaN®-FET EPC2302 bilden einen ePower-Chipsatz mit einer maximalen Spannungsfestigkeit von 100 V, einem Laststrom von bis zu 65 A und einer Schaltgeschwindigkeit von über 1 MHz. Der eGaN-FET EPC2302 bietet einen extrem kleinen RDS(on) von nur 1,8 mΩ sowie sehr kleine QG-, QGD- und QOSS-Parameter für geringe Leitungs- und Schaltverluste.Beide Bausteine verfügen über ein thermisch verbessertes QFN-Gehäuse mit freiliegender Oberseite und optimierter Pin-Belegung zwischen den beiden Bausteinen. Der kombinierte Chipsatz hat eine Grundfläche von 7 mm x 5 mm und bietet damit eine extrem kleine Lösung für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte.

Merkmale/Funktionen
  • Integrierter High-Side-FET mit 3,3 mΩ RDS(on) mit Gate-Treiber
  • Eingangs-Logikschnittstelle
  • Pegelumsetzung
  • Bootstrap-Aufladung
  • Pufferschaltkreise für Gate-Treiber
  • Gate-Treiber-Ausgang zur Ansteuerung eines externen Low-Side-eGaN-FET
Anwendungen/Zielmärkte
  • Hochfrequenz-DC/DC-Wandler
  • Abwärts-, Aufwärts-, Halbbrücken-, Vollbrücken- und LLC-Wandler
  • BLDC-Motorantriebe
  • Ein- und Dreiphasen-Wechselrichter für Motorantriebe

ePower™ Chipset

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Evaluation Boards

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Veröffentlicht: 2022-01-25