Einzeldioden

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	Technologie	Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	Geschwindigkeit	Umkehrerholungszeit (trr)	Strom - Sperrleckstrom bei Vr	Kapazität bei Vr, F	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten	Betriebstemperatur - Übergang
1N4148TR DIODE STANDARD 100V 200MA DO35 onsemi	1.896.609 Vorrätig	1 : 0,08000 € Gurtabschnitt (CT) 10.000 : 0,01073 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Standard	100 V	200mA	1 V @ 10 mA	Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit	4 ns	5 µA @ 75 V	4pF bei 0V, 1MHz	Durchkontaktierung	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35	-55°C bis 175°C
1N4148 DIODE STANDARD 100V 200MA DO35 onsemi	1.403.639 Vorrätig	1 : 0,08000 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	Standard	100 V	200mA	1 V @ 10 mA	Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit	4 ns	5 µA @ 75 V	4pF bei 0V, 1MHz	Durchkontaktierung	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35	-55°C bis 175°C
1N4148TA DIODE STANDARD 100V 200MA DO35 onsemi	310.707 Vorrätig	1 : 0,08000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,01214 € Band & Box (TB)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	Standard	100 V	200mA	1 V @ 10 mA	Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit	4 ns	5 µA @ 75 V	4pF bei 0V, 1MHz	Durchkontaktierung	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35	-55°C bis 175°C
1N4148-T26A DIODE STANDARD 100V 200MA DO35 onsemi	105.629 Vorrätig	1 : 0,08000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,01119 € Band & Box (TB)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	Standard	100 V	200mA	1 V @ 10 mA	Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit	4 ns	5 µA @ 75 V	4pF bei 0V, 1MHz	Durchkontaktierung	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35	-55°C bis 175°C
1N4148 DIODE STANDARD 75V 200MA DO35 Diotec Semiconductor	105.608 Vorrätig	1 : 0,08000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,01188 € Band & Box (TB)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	Standard	75 V	200mA	1 V @ 10 mA	Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit	4 ns	5 µA @ 75 V	4pF bei 0V, 1MHz	Durchkontaktierung	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35	-50°C bis 175°C
1N4148-T50R DIODE STANDARD 100V 200MA DO35 onsemi	35.687 Vorrätig	1 : 0,08000 € Gurtabschnitt (CT) 10.000 : 0,01254 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Standard	100 V	200mA	1 V @ 10 mA	Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit	4 ns	5 µA @ 75 V	4pF bei 0V, 1MHz	Durchkontaktierung	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35	-55°C bis 175°C
1N4148-T50A DIODE STANDARD 100V 200MA DO35 onsemi	15.141 Vorrätig	1 : 0,08000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,01325 € Band & Box (TB)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	Standard	100 V	200mA	1 V @ 10 mA	Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit	4 ns	5 µA @ 75 V	4pF bei 0V, 1MHz	Durchkontaktierung	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35	-55°C bis 175°C
1N4148 A0G DIODE STANDARD 100V 150MA DO35 Taiwan Semiconductor Corporation	23.854 Vorrätig	1 : 0,10000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,01867 € Band & Box (TB)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	Standard	100 V	150mA	1 V @ 100 mA	Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit	4 ns	5 µA @ 75 V	4pF bei 0V, 1MHz	Durchkontaktierung	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35	-65°C bis 150°C
1N4148 DIODE STANDARD 75V 300MA DO35 SMC Diode Solutions	16.467 Vorrätig	1 : 0,11000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,01904 € Band & Box (TB)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	Standard	75 V	300mA	1 V @ 10 mA	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	4 ns	5 µA @ 75 V	4pF bei 0V, 1MHz	Durchkontaktierung	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35	-65°C bis 175°C
1N4148 DIODE STANDARD 75V 200MA DO35 Diotec Semiconductor	9.958 Vorrätig	1 : 0,09000 € Gurtabschnitt (CT) 1 : 0,10000 € Box	-	Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Standard	75 V	200mA	1 V @ 10 mA	Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit	4 ns	5 µA @ 75 V	4pF bei 0V, 1MHz	Durchkontaktierung	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35	-50°C bis 175°C
1N4148-G DIODE STANDARD 75V 150MA DO35 Comchip Technology	4.821 Vorrätig	Obsolet	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Obsolet	Standard	75 V	150mA	1 V @ 10 mA	Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit	-	5 µA @ 75 V	-	Durchkontaktierung	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35	-65°C bis 200°C

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Typen von Gleichrichterdioden

Standard-Gleichrichterdioden

Standarddioden (Silizium-PN-Übergang) Standarddioden sind die einfachste Art von Gleichrichterdioden aus Silizium mit einem PN-Übergang. Sie werden häufig in AC/DC-Wandlern, bei der Stromgleichrichtung und zum allgemeinen Schaltkreisschutz eingesetzt. Diese Dioden bieten in der Regel einen Durchlassspannungsabfall von etwa 0,7 V und eignen sich am besten für das Schalten mit niedrigen Frequenzen. Ihre Sperrverzögerung (die Zeit, bis sie bei Abschaltung nicht mehr leiten) ist relativ hoch, was ihre Verwendung in Hochgeschwindigkeitsanwendungen einschränkt. Außerdem bieten sie einen geringen Leckstrom in Sperrrichtung, was für Zuverlässigkeit im Dauerbetrieb sorgt.

Schottky-Sperrschichtdioden (Schottky Barrier Diodes, SBD)
Schottky-Dioden (SBD) verfügen über einen Metall-Halbleiter-Übergang anstelle eines herkömmlichen PN-Übergangs, was höhere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Durchlassspannungsabfälle ermöglicht – oft zwischen 0,2 V und 0,4 V. Dadurch sind sie ideal für DC/DC-Wandler, hocheffiziente Netzteile und Schaltungen, bei denen die Minimierung der Verlustleistung entscheidend ist. Ein Nachteil von SBDs ist jedoch ihr höherer Leckstrom in Sperrrichtung, insbesondere bei höheren Temperaturen, was bei Präzisions- oder batteriebetriebenen Geräten ein Problem darstellen kann.

Super-Sperrschichtgleichrichter (Super Barrier Rectifiers, SBR)
Super-Sperrschichtgleichrichter (SBR) vereinen die besten Eigenschaften von Standarddioden und Schottky-Dioden. Sie bieten einen niedrigen Durchlassspannungsabfall wie SBDs, jedoch bei einem deutlich geringeren Leckstrom in Sperrrichtung und verbesserter Sperrverzögerung. SBRs eignen sich gut für Schaltnetzteile, Adapter und Automobilelektronik, wo Energieeffizienz und thermische Stabilität wichtig sind. Sie stellen häufig die bessere Wahl als Schottky-Dioden dar, wenn die Anwendung höhere Umgebungstemperaturen oder größere Spannungstransienten mit sich bringt.

Avalanche-Dioden
Avalanche-Dioden sind so konstruiert, dass sie eine zuverlässige Funktion bei Rückwärtsdurchbruch bieten, was heißt, dass sie Strom sicher leiten, sobald eine bestimmte Sperrspannungsschwelle überschritten wird. Im Gegensatz zu Standarddioden, die durch einen Durchbruch beschädigt werden können, sind Avalanche-Dioden so gebaut, dass sie diesem Zustand wiederholt und vorhersehbar standhalten.

Siliziumkarbid-(SiC)-Dioden
SiC-Dioden werden aus Siliziumkarbid hergestellt, einem Material mit breiter Bandlücke, womit sie sehr hohe Spannungen (600 V und mehr) und extreme Temperaturen (>150 °C) unterstützen. Sie eignen sich ideal für industrielle Wandler, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichter und Motorantriebe, besonders in Schaltkreisen, die schnelles Schalten und das sofortige Sperren erfordern. Obwohl sie teurer sind als Dioden auf Siliziumbasis, sind sie aufgrund ihrer Langlebigkeit und Effizienz bei hohen Spannungen und Frequenzen oft die beste langfristige Wahl für anspruchsvolle Anwendungen.

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