Einzelne bipolare transistoren

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Transistor-Typ
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
Leistung - Max.
Frequenz - Übergang
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
to-92-formed
BC547C
TRANS NPN 45V 0.1A TO-92
Diotec Semiconductor
14.930
Vorrätig
1 : 0,12000 €
Gurtabschnitt (CT)
4.000 : 0,02168 €
Band & Box (TB)
-
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
Aktiv
NPN
100 mA
45 V
600mV bei 5mA, 100mA
15nA
420 bei 2mA, 5V
500 mW
300MHz
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
TO-92
to-92
BC547CBK
TRANS NPN 45V 0.1A TO-92
Diotec Semiconductor
6.927
Vorrätig
1 : 0,12000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv
NPN
100 mA
45 V
600mV bei 5mA, 100mA
15nA
420 bei 2mA, 5V
500 mW
300MHz
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
TO-92
to-92-formed
BC547B
TRANS NPN 45V 0.1A TO-92
Diotec Semiconductor
6.907
Vorrätig
1 : 0,12000 €
Gurtabschnitt (CT)
4.000 : 0,02168 €
Band & Box (TB)
-
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
Aktiv
NPN
100 mA
45 V
600mV bei 5mA, 100mA
15nA
200 bei 2mA, 5V
500 mW
300MHz
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
TO-92
to-92
BC547BBK
TRANS NPN 45V 0.1A TO-92
Diotec Semiconductor
5.315
Vorrätig
1 : 0,12000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv
NPN
100 mA
45 V
600mV bei 5mA, 100mA
15nA
200 bei 2mA, 5V
500 mW
300MHz
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
TO-92
to-92-formed
BC547A
TRANS NPN 45V 0.1A TO-92
Diotec Semiconductor
4.381
Vorrätig
1 : 0,12000 €
Gurtabschnitt (CT)
4.000 : 0,02168 €
Band & Box (TB)
-
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
Aktiv
NPN
100 mA
45 V
600mV bei 5mA, 100mA
15nA
110 bei 2mA, 5V
500 mW
300MHz
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
BC547BTF
TRANS NPN 45V 0.1A TO-92-3
onsemi
9.908
Vorrätig
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 0,04959 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Aktiv
NPN
100 mA
45 V
600mV bei 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
200 bei 2mA, 5V
500 mW
300MHz
150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
BC547CTFR
TRANS NPN 45V 0.1A TO-92-3
onsemi
5.045
Vorrätig
86.000
Fabrik
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 0,04991 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Aktiv
NPN
100 mA
45 V
600mV bei 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
420 bei 2mA, 5V
500 mW
300MHz
150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
BC547CTA
TRANS NPN 45V 0.1A TO-92-3
onsemi
29.475
Vorrätig
1 : 0,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 0,05162 €
Band & Box (TB)
-
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
Aktiv
NPN
100 mA
45 V
600mV bei 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
420 bei 2mA, 5V
500 mW
300MHz
150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
BC547CBU
TRANS NPN 45V 0.1A TO-92-3
onsemi
21.890
Vorrätig
250.000
Fabrik
1 : 0,23000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv
NPN
100 mA
45 V
600mV bei 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
420 bei 2mA, 5V
500 mW
300MHz
150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
BC547BBU
TRANS NPN 45V 0.1A TO-92-3
onsemi
9.497
Vorrätig
80.000
Fabrik
1 : 0,23000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv
NPN
100 mA
45 V
600mV bei 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
200 bei 2mA, 5V
500 mW
300MHz
150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
BC547BTA
TRANS NPN 45V 0.1A TO-92-3
onsemi
4.471
Vorrätig
1 : 0,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 0,05038 €
Band & Box (TB)
-
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
Aktiv
NPN
100 mA
45 V
600mV bei 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
200 bei 2mA, 5V
500 mW
300MHz
150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
TO-92-3
Angezeigt werden
von 11

Diskrete Bipolartransistoren

Diskrete Bipolartransistoren (BJTs) werden häufig zur Verstärkung analoger Signale in Audio-, Funk- und anderen Anwendungen verwendet. Es handelt sich hierbei um eine der ersten serienmäßig hergestellten Halbleiterkomponenten. Sie eignen sich weniger gut als andere Komponententypen für Anwendungen mit hochfrequenten Schaltvorgängen und hohen Strömen oder Spannungen. Sie stellen jedoch nach wie vor eine gute Wahl für Anwendungen dar, bei denen analoge Signale mit minimalem zusätzlichen Rauschen und möglichst wenig Verzerrungen reproduziert werden müssen. BJTs gibt es in zwei Varianten - NPN und PNP - die sich auf die Reihenfolge der Halbleiterschichten beziehen, aus denen der Transistor besteht. NPN-Transistoren bestehen aus einem dünnen P-Halbleiter zwischen zwei N-Materialien, während bei PNP-Transistoren ein N-Halbleiter zwischen zwei P-Typen liegt. Dadurch arbeiten die beiden Typen mit entgegengesetzter Polarität. NPN-Transistoren sind Stromsenken, während PNP-Transistoren Stromquellen sind.