Einzelne bipolare transistoren

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Transistor-Typ
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
Leistung - Max.
Frequenz - Übergang
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
to-92-formed
BC557C
TRANS PNP 45V 0.1A TO-92
Diotec Semiconductor
14.649
Vorrätig
1 : 0,12000 €
Gurtabschnitt (CT)
4.000 : 0,02168 €
Band & Box (TB)
-
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
Aktiv
PNP
100 mA
45 V
650mV bei 5mA, 100mA
15nA
420 bei 2mA, 5V
500 mW
150MHz
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
TO-92
to-92-formed
BC557B
TRANS PNP 45V 0.1A TO-92
Diotec Semiconductor
12.889
Vorrätig
1 : 0,12000 €
Gurtabschnitt (CT)
4.000 : 0,02168 €
Band & Box (TB)
-
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
Aktiv
PNP
100 mA
45 V
650mV bei 5mA, 100mA
15nA
200 bei 2mA, 5V
500 mW
150MHz
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
TO-92
to-92
BC557BBK
TRANS PNP 45V 0.1A TO-92
Diotec Semiconductor
1.971
Vorrätig
1 : 0,12000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv
PNP
100 mA
45 V
650mV bei 5mA, 100mA
15nA
200 bei 2mA, 5V
500 mW
150MHz
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
BC557BTF
TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3
onsemi
30.386
Vorrätig
6.000
Fabrik
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 0,05006 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Aktiv
PNP
100 mA
45 V
650mV bei 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
200 bei 2mA, 5V
500 mW
150MHz
150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
BC557BTA
TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3
onsemi
7.380
Vorrätig
146.000
Fabrik
1 : 0,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 0,05022 €
Band & Box (TB)
-
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
Aktiv
PNP
100 mA
45 V
650mV bei 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
200 bei 2mA, 5V
500 mW
150MHz
150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
TO-92-3
to-92
BC557CBK
TRANS PNP 45V 0.1A TO-92
Diotec Semiconductor
4.923
Vorrätig
1 : 0,09000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv
PNP
100 mA
45 V
650mV bei 5mA, 100mA
15nA
420 bei 2mA, 5V
500 mW
150MHz
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
BC557ATA
TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3
onsemi
12.915
Vorrätig
1 : 0,25000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 0,05546 €
Band & Box (TB)
-
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
Obsolet
PNP
100 mA
45 V
650mV bei 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
110 bei 2mA, 5V
500 mW
150MHz
150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
TO-92-3
Angezeigt werden
von 7

Diskrete Bipolartransistoren

Diskrete Bipolartransistoren (BJTs) werden häufig zur Verstärkung analoger Signale in Audio-, Funk- und anderen Anwendungen verwendet. Es handelt sich hierbei um eine der ersten serienmäßig hergestellten Halbleiterkomponenten. Sie eignen sich weniger gut als andere Komponententypen für Anwendungen mit hochfrequenten Schaltvorgängen und hohen Strömen oder Spannungen. Sie stellen jedoch nach wie vor eine gute Wahl für Anwendungen dar, bei denen analoge Signale mit minimalem zusätzlichen Rauschen und möglichst wenig Verzerrungen reproduziert werden müssen. BJTs gibt es in zwei Varianten - NPN und PNP - die sich auf die Reihenfolge der Halbleiterschichten beziehen, aus denen der Transistor besteht. NPN-Transistoren bestehen aus einem dünnen P-Halbleiter zwischen zwei N-Materialien, während bei PNP-Transistoren ein N-Halbleiter zwischen zwei P-Typen liegt. Dadurch arbeiten die beiden Typen mit entgegengesetzter Polarität. NPN-Transistoren sind Stromsenken, während PNP-Transistoren Stromquellen sind.