
SQJB42EP-T1_GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | SQJB42EP-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQJB42EP-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQJB42EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SQJB42EP-T1_GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 39 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 40V 30 A (Tc) 48W Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SQJB42EP-T1_GE3 Modelle |
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 30nC bei 10V |
Hersteller Vishay Siliconix | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1500pF bei 25V |
Serie | Leistung - Max. 48W |
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Status der Komponente Aktiv | Klasse Automobiltechnik |
Technologie MOSFET (Metalloxid) | Qualifizierung AEC-Q101 |
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach) | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V | Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8 Dual |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30 A (Tc) | Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8 Dual |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 9,5mOhm bei 10A, 10V | Basis-Produktnummer |
Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 250µA |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 1,68000 € | 1,68 € |
| 10 | 1,07100 € | 10,71 € |
| 100 | 0,72050 € | 72,05 € |
| 500 | 0,57022 € | 285,11 € |
| 1.000 | 0,52187 € | 521,87 € |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,46051 € | 1.381,53 € |
| 6.000 | 0,42963 € | 2.577,78 € |
| 9.000 | 0,41391 € | 3.725,19 € |
| 15.000 | 0,40105 € | 6.015,75 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 1,68000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 1,99920 € |

