Name: SQJ992EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ992EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.9873 EUR
Availability: InStock

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SQJ992EP-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQJ992EP-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQJ992EP-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQJ992EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJ992EP-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 15A 34W Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	56,2mOhm bei 3,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	446pF bei 30V
Leistung - Max.	34W
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8 Dual
Basis-Produktnummer	SQJ992