Name: SQJ914EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ914EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.904 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQJ914EP-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQJ914EP-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQJ914EP-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQJ914EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJ914EP-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 30 A (Tc) 27W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJ914EP-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	12mOhm bei 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	25nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1110pF bei 15V
Leistung - Max.	27W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8 Dual
Basis-Produktnummer	SQJ914