Name: SQJ262EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ262EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.9397 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQJ262EP-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQJ262EP-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQJ262EP-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQJ262EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJ262EP-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 15 A (Tc), 40 A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual and asymmetrisch
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJ262EP-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15 A (Tc), 40 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	35,5mOhm bei 2A, 10V, 15,5mOhm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	10nC bei 10V, 23nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	550pF bei 25V, 1260pF bei 25V
Leistung - Max.	27W (Tc), 48W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8 Dual and asymmetrisch
Basis-Produktnummer	SQJ262