Name: SQJ208EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ208EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.0706 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQJ208EP-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQJ208EP-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQJ208EP-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQJ208EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJ208EP-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 40V 20 A (Tc), 60 A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual and asymmetrisch
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJ208EP-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20 A (Tc), 60 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9,4mOhm bei 6A, 10V, 3,9mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 250µA, 2,4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	33nC bei 10V, 75nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1700pF bei 25V, 3900pF bei 25V
Leistung - Max.	27W (Tc), 48W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8 Dual and asymmetrisch
Basis-Produktnummer	SQJ208