Name: SQJ202EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ202EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.0587 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQJ202EP-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SQJ202EP-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SQJ202EP-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SQJ202EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJ202EP-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 12V 20A, 60A 27W, 48W Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual and asymmetrisch
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJ202EP-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20A, 60A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6,5mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	22nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	975pF bei 6V
Leistung - Max.	27W, 48W
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8 Dual and asymmetrisch
Basis-Produktnummer	SQJ202