Name: SIZ340BDT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZ340BDT-T1-GE3TR-ND
Price: 1.1543 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIZ340BDT-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIZ340BDT-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIZ340BDT-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIZ340BDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIZ340BDT-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 16.9A 8PWR33
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 16,9A (Ta), 36A (Tc), 25,3A (Ta), 69,3A (Tc) 3,7W (Ta), 16,7W (Tc), 4,2W (Ta), 31W (Tc) Oberflächenmontage 8-Power33 (3x3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIZ340BDT-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-kanal (dual), schottky
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	16,9A (Ta), 36A (Tc), 25,3A (Ta), 69,3A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8,56mOhm bei 10A, 10V, 4,31mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12,6nC bei 10V, 23,5nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	550pF bei 15V, 1065pF bei 15V
Leistung - Max.	3,7W (Ta), 16,7W (Tc), 4,2W (Ta), 31W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-Power33 (3x3)
Basis-Produktnummer	SIZ340