Name: SIZ200DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ200DT-T1-GE3TR-ND
Price: 1.5946 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIZ200DT-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIZ200DT-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIZ200DT-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIZ200DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIZ200DT-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
Standardlieferzeit des Herstellers	28 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 22 A (Ta), 61 A (Tc), 22 A (Ta), 60 A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Oberflächenmontage 8-PowerPair® (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIZ200DT-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	22 A (Ta), 61 A (Tc), 22 A (Ta), 60 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5,5mOhm bei 10A, 10V, 5,8mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	28nC bei 10V, 30nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1510pF bei 15V, 1600pF bei 15V
Leistung - Max.	4,3W (Ta), 33W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-PowerPair® (3,3x3,3)
Basis-Produktnummer	SIZ200