Name: SISF20DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISF20DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.38 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SISF20DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SISF20DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SISF20DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SISF20DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISF20DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212
Standardlieferzeit des Herstellers	29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 14 A (Ta), 52 A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8SCD, zweikanalig
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	14 A (Ta), 52 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	13mOhm bei 7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	33nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1290pF bei 30V
Leistung - Max.	5,2W (Ta), 69,4W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 1212-8SCD, zweikanalig
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 1212-8SCD, zweikanalig
Basis-Produktnummer	SISF20