Name: SISF00DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISF00DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.0587 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SISF00DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SISF00DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SISF00DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SISF00DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISF00DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 60 A (Tc) 69,4W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8SCD, zweikanalig
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SISF00DN-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Drain
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	53nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2700pF bei 15V
Leistung - Max.	69,4W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 1212-8SCD, zweikanalig
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 1212-8SCD, zweikanalig
Basis-Produktnummer	SISF00