Name: SISB46DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISB46DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.2852 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SISB46DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SISB46DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SISB46DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SISB46DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISB46DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Standardlieferzeit des Herstellers	28 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 40V 34 A (Tc) 23W Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SISB46DN-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	34 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11,71mOhm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	11nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1100pF bei 20V
Leistung - Max.	23W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 1212-8 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 1212-8 Dual
Basis-Produktnummer	SISB46