Name: SIS903DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS903DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.547 EUR
Availability: InStock

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SIS903DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIS903DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIS903DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIS903DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 20V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIS903DN-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen III
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 P-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	20,1mOhm bei 5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	42nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2565pF bei 10V
Leistung - Max.	2,6W (Ta), 23W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 1212-8 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 1212-8 Dual
Basis-Produktnummer	SIS903