
SIS903DN-T1-GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | SIS903DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIS903DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIS903DN-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 38 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 20V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8 Dual |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIS903DN-T1-GE3 Modelle |
Category | Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA |
Hersteller Vishay Siliconix | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 42nC bei 10V |
Serie | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2565pF bei 10V |
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | Leistung - Max. 2,6W (Ta), 23W (Tc) |
Status der Komponente Aktiv | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie MOSFET (Metalloxid) | Montagetyp Oberflächenmontage |
Konfiguration 2 P-Kanal (zweifach) | Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8 Dual |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V | Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8 Dual |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6 A (Tc) | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 20,1mOhm bei 5A, 4,5V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 1,55000 € | 1,55 € |
| 10 | 0,97900 € | 9,79 € |
| 100 | 0,65590 € | 65,59 € |
| 500 | 0,51706 € | 258,53 € |
| 1.000 | 0,47242 € | 472,42 € |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,41573 € | 1.247,19 € |
| 6.000 | 0,38720 € | 2.323,20 € |
| 9.000 | 0,37267 € | 3.354,03 € |
| 15.000 | 0,35635 € | 5.345,25 € |
| 21.000 | 0,35590 € | 7.473,90 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 1,55000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 1,84450 € |











