Name: SIA975DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA975DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 1.0353 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIA975DJ-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIA975DJ-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIA975DJ-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIA975DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIA975DJ-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Standardlieferzeit des Herstellers	13 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 12V 4,5A 7,8W Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIA975DJ-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 P-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,5A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	41mOhm bei 4,3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	26nC bei 8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1500pF bei 6V
Leistung - Max.	7,8W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Basis-Produktnummer	SIA975