Name: SIA533EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA533EDJ-T1-GE3TR-ND
Price: 0.6783 EUR
Availability: InStock

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SIA533EDJ-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIA533EDJ-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIA533EDJ-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIA533EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIA533EDJ-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 12V 4,5A 7,8W Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIA533EDJ-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	N- und P-Kanal
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,5A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	34mOhm bei 4,6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	15nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	420pF bei 6V
Leistung - Max.	7,8W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Basis-Produktnummer	SIA533