Name: SI7232DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7232DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.3209 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI7232DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI7232DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI7232DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI7232DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI7232DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 20V 25A 23W Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI7232DN-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	25A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	16,4mOhm bei 10A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	32nC bei 8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1220pF bei 10V
Leistung - Max.	23W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 1212-8 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 1212-8 Dual
Basis-Produktnummer	SI7232