Name: SI7223DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7223DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.4875 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI7223DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI7223DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI7223DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI7223DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI7223DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI7223DN-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen III
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 P-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	26,4mOhm bei 8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	40nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1425pF bei 15V
Leistung - Max.	2,6W (Ta), 23W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 1212-8 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 1212-8 Dual
Basis-Produktnummer	SI7223